2.3. Транзистори

Напівпровідникові тріоди або транзистори це прилади з двома р-п -переходами і трьома виводами, що призначені для генерування і перетворення електричних коливань.

Транзистори поділяють на уніполярні і біполярні. В уніполярних струм обумовлений рухом носіїв заряду тільки одного знаку (або електронами, або дірками), а в біполярних - обох знаків.

Біполярний транзистор являє собою монокристалічну пластинку напівпровідника, в якій утворені три області -дві мають однаковий тип провідності і поділені між собою областю з іншим типом провідності. Ця середня область називається базою, а дві крайні - емітером і колектором. Емітер здійснює інжекцію (вприскування) носіїв у базу, а колектор екстракцію носіїв.

Транзистор у якого емітер і колектор мають електропровідність р-тшгу, а база - електропровідність п-типу називається транзистором р-п-р типу (рис.2.12.г). Якщо база має електропровідність р-типу, а емітер і колектор -електропровідність п-типу - це транзистор п-р-п типу (рис.2.12в). У подальшому будемо для простоти розглядати тільки транзистори п-р-п-типу, бо процеси в р-п-р -транзисторах протікають аналогічно. Різниця полягає лише в тому, що до їх виводів подається напруга зворотної полярності. Так, якщо колектор транзистора р-п-р - типу підключається до негативного полюса джерела, то колектор п-р-п-типу - до позитивного. Зменшення потенціалу бази викликає зменшення опору транзистора р- п -р - типу і збільшення опору транзистора п-р-п типу .Транзистор із-за однотипності крайніх областей є зворотним приладом, тобто якщо поміняти місцями емітер і колектор, то працездатність його в якійсь мірі збережеться. Однак, оскільки транзистори мають несиметричну конструкцію (наприклад, площа емітерного переходу менша площі колекторного переходу), а емітер і колектор часто виготовляють з різних матеріалів, то пряме й інверсне включення транзистора нерівноцінне.