7.4 Способи одержання р-п-переходів

Сплавні р-п-переходи одержують шляхом розплавлення на поверхні п-германію індію (Гп), тривалентного елементу, який явля­ється в германії акцепторною домішкою.

Іп

п-Єе

 

*° = 550С

в атмосфері Н2, або Аг

При нагріванні до 550°С в нейтральній атмосфері водню, або аргону індій плавиться і розчиняє части­ну германію. Після охолодження утворюється рекристал ізован ий шар р-Се (рис.7.12). Це монокри­сталі германію, який є продов­женням кристалічної гратки пла­стинки германію, але легований акцепторною домішкою індію.

Дифузійні р-п-переходи формуються шляхом перекомпенсації (зміни типу провідності напівпровідника) п-кремнію в р-кремній за рахунок дифузії при температурі 1200°С в поверхневий шар акцептор-ної домішки бора (В), наприклад, із парів борної кислоти Н3ВО3 . Створюючи на поверхні пластини захисну маску із двоокису кремнію БіОг , формують р-п-переходи в певних місцях, (рис.7.13). Це планар-на технологія виготовлення інтегральних мікросхем. Глибина заля­гання переходу залежить від температури і часу дифузійного процесу.

Епітаксіальні р-п-переходи утворюються в процесі епітаксіа-льного нарощування на напівпровідникову підкладку шару напівпро­відника, наприклад, кремнію із газової фази моносілану ({5іН4) на по­верхню кремнію. Епітаксіальний процес - це вирощування шару на­півпровідника із газової фази, в результаті чого утворюється монокри-сталічна плівка, яка є продовженням кристалічної гратки підкладки. Додаючи в камеру елементи донорної чи акцепторної домішки, можна формувати баготошарову структуру р- і п-областей (сендвіч).

Метод іонної імплантації - легування напівпровідника шля­хом бомбардування прискореними іонами відповідної домішки (іон­ним пучком).